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Investigadores desarrollan una nueva técnica que señala hacia dispositivos en 2-D

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domingo, 27/01/13 - 19:07

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Científicos de la Universidad Rice, en Houston (Estados Unidos), han dado un paso importante hacia la creación de la electrónica en dos dimensiones con un proceso para hacer patrones en un átomo de grosor que combinan un conductor y un aislante. Los materiales en juego, el nitruro de boro hexagonal y el grafeno, se han fusionado en láminas y se instalan en una variedad de patrones de dimensiones nanométricas.

MADRID, 27 (EUROPA PRESS)

Científicos de la Universidad Rice, en Houston (Estados Unidos), han dado un paso importante hacia la creación de la electrónica en dos dimensiones con un proceso para hacer patrones en un átomo de grosor que combinan un conductor y un aislante. Los materiales en juego, el nitruro de boro hexagonal y el grafeno, se han fusionado en láminas y se instalan en una variedad de patrones de dimensiones nanométricas.

Según la investigación, publicada en 'Nature Nanotecnology', los autores diseñaron una técnica para coser los materiales de idéntica estructura hace tres años. Desde entonces, la idea ha recibido mucha atención por parte de los investigadores interesados ??en la perspectiva de la construcción de circuitos de capa atómica 2-D, dijo el científico de materiales del arroz Pulickel Ajayan y uno de los autores.

En particular, Ajayan señaló que los científicos de la Universidad de Cornell informaron de un avance a finales del año pasado en el arte atómico de hacer de capas de heteroestructuras a través de esquemas secuenciales de crecimiento. La aportación de Rice de esta semana ofrece a los fabricantes la posibilidad de reducir los dispositivos electrónicos en paquetes más pequeños.

"Debería ser posible hacer dispositivos totalmente funcionales con circuitos de 30, incluso 20 nanómetros de ancho (un nanómetro es una mil millonésima parte de un metro), todo ello en dos dimensiones", dijo Lou, investigador de Rice y coautor del nuevo documento. A su juicio, eso haría los circuitos en aproximadamente la misma escala que en la fabricación de semiconductores actualmente en curso.

El autor principal Zheng Liu, científico de Rice, dijo que el siguiente paso es colocar un tercer elemento, un semiconductor, en el tejido 2-D. "Estamos haciendo un gran esfuerzo para integrar este principio en la plataforma. Si podemos hacer eso, podemos construir realmente dispositivos integrados en el plano. Eso daría nuevas opciones a los fabricantes a jugar con la idea de la electrónica flexible", dijo.

(EuropaPress)

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